MOCD217R1M
Deskrizzjoni
Parametri tekniċi
Prodotti Relatati:
|
Mfr Parti |
MOCD217M |
MOCD217R1M |
MOCD217R1VM |
MOCD217R2M |
MOCD217R2VM |
MOCD217VM |
|
Deskrizzjoni |
OPTOCOUPLER, PHOTOTRANSISTOR OUT |
OPTOCOUPLER, PHOTOTRANSISTOR OUT |
OPTOCOUPLER, PHOTOTRANSISTOR OUT |
OPTOCOUPLER, PHOTOTRANSISTOR OUT |
OPTOCOUPLER, PHOTOTRANSISTOR OUT |
OPTOCOUPLER, PHOTOTRANSISTOR OUT |
|
Stokk |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
80000 |
|
Status tal-Prodott |
Attiva |
Attiva |
Attiva |
Attiva |
Attiva |
Attiva |
|
Vultaġġ - Iżolament |
3750Vrms |
3750Vrms |
3750Vrms |
3750Vrms |
3750Vrms |
3750Vrms |
|
Proporzjon ta' Trasferiment Kurrent (Min) |
100% @ 1mA |
100% @ 1mA |
100% @ 1mA |
100% @ 1mA |
100% @ 1mA |
100% @ 1mA |
|
Proporzjon ta' Trasferiment Kurrent (Mass) |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
Ħin Ixgħel / Itfi (Tip) |
3us, 3us |
3us, 3us |
3us, 3us |
3us, 3us |
3us, 3us |
3us, 3us |
|
Tip ta' Input |
DC |
DC |
DC |
DC |
DC |
DC |
|
Tip ta' Output |
Transistor DC |
Transistor DC |
Transistor DC |
Transistor DC |
Transistor DC |
Transistor DC |
|
Vultaġġ - Output (Mass) |
80V |
80V |
80V |
80V |
80V |
80V |
|
Kurrent - Output / Kanal |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
Vultaġġ - 'il quddiem (Vf) (Tip) |
1.3V |
1.3V |
1.3V |
1.3V |
1.3V |
1.3V |
|
Kurrent - DC 'l quddiem (Jekk) (Mass) |
60 mA |
60 mA |
60 mA |
60 mA |
60 mA |
60 mA |
|
Temperatura operattiva |
-55 grad ~ 110 grad |
-55 grad ~ 110 grad |
-55 grad ~ 110 grad |
-55 grad ~ 110 grad |
-55 grad ~ 110 grad |
-55 grad ~ 110 grad |
|
Pakkett / Kawża |
SOP8 (3.9x1.27) |
SOP8 (3.9x1.27) |
SOP8 (3.9x1.27) |
SOP8 (3.9x1.27) |
SOP8 (3.9x1.27) |
SOP8 (3.9x1.27) |
|
Pakkett |
Tejp u Rukkell (TR) |
Tejp u Rukkell (TR) |
Tejp u Rukkell (TR) |
Tejp u Rukkell (TR) |
Tejp u Rukkell (TR) |
Tejp u Rukkell (TR) |
Applikazzjonis:
• Ċirkwiti ta' Kontroll ta' Feedback
• Sistemi ta' Interfacing u Coupling ta' Potenziji u lmpedances Differenti
• Ċirkwiti ta' Swiċċjar għal Għan Ġenerali
• Monitor u Ċirkwiti ta 'Sejbien
Deskrizzjoni Ġenerali:
Dawn l-apparati jikkonsistu f'dijodu li jarmi l-infra-aħmar tal-gallju arsenide akkoppjat ottikament ma' ditekter ta' fototransistor tas-silikon monolitiku, f'pakkett tal-plastik li jista' jiġi mmuntat fil-wiċċ, b'kontorn żgħir. Huma idealment adattati għal applikazzjonijiet ta 'densità għolja, u jeliminaw il-ħtieġa għal immuntar permezz tal-bord.
It-tags Popolari: mocd217r1m, iċ-Ċina mocd217r1m manifatturi, fornituri
Par ta ' l-
MOCD213R1MLi jmiss
TIL111SR2MIbgħat l-inkjesta
Tista 'Tħobb ukoll
